[제공=삼성전자]

반도체 업황이 개선되면서 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 1분기 연구개발(R&D) 비용과 시설 투자를 늘린 것으로 파악됐다.

16일 각사가 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 R&D 비용으로 전년 동기 대비 19% 증가한 수준인 7조8201억원을 집행했다. 이는 1분기 기준 역대 최대 규모로, 1년 전(11%)보다 증가 폭이 더 커진 셈이다.

1분기 삼성전자 시설투자액은 총 11조3087억원을 기록했다. 지난해 1분기보다 5% 늘어난 수치다. 다만 반도체 사업을 하는 디바이스솔루션(DS) 부문 투자액은 9조7877억원에서 9조6663억원으로 소폭 감소했다.

삼성전자 측은 “1분기 중 DS 부문 및 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설투자가 이뤄졌다”며 “2024년 글로벌 시황 개선에 대비해 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 점검하고, 투자 효율성 제고로 내실을 다지는 활동도 병행할 계획”이라고 전했다.

SK하이닉스는 올해 1분기 R&D 비용으로 1조1090억원을 썼다. 2023년 1분기 1조895억원보다 2%쯤 늘었다.

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 2조9430억원이다. 2023년 1분기 1조7480억원 대비 68% 급증했다.

앞서 SK하이닉스는 4월 24일 이사회 결의를 거쳐 충청북도 청주시에 건설할 신규 팹(Fab) M15X를 D램 생산기지로 결정하고 팹 건설에 5조3000억원을 투자하기로 했다. 장비 투자도 순차적으로 진행해 장기적으로는 M15X에 총 20조원 이상의 투자를 집행해 생산 기반을 확충한다는 방침이다.

SK하이닉스는 보고서를 통해 세계 최초로 양산을 시작한 4세대 고대역 폭메모리(HBM) HBM3E, 온디바이스 인공지능(AI) PC용 고성능 솔리드스테이트드라이브(SSDB) 제품 ‘PCB01’ 등 주요 연구개발 실적을 소개했다.

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