[제공=삼성전자]

삼성전자가 글로벌 팹리스(반도체 설계기업) AMD와의 협력에 전격 돌입한다.

29일 전자업계 및 외신 등에 따르면 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 최근 열린 ITF 월드 2024 기조연설을 통해 자사 차세대 제품에 삼성전자의 3나노미터급 반도체 채택을 암시했다.

전일 리사 수는 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정을 통한 차세대 반도체 양산 계획을 발표했다. GAA는 기존 공정인 핀펫에 비해 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있는 기술로, 3나노 공정에서 GAA를 적용하고 있는 업체는 삼성전자가 유일하다.

업계는 AMD가 삼성전자와의 3나노 파운드리 협업을 사실상 공식화한 것으로 보고 있다. 삼성전자는 현재 AMD에 HBM3를 공급 중이다.

AMD는 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU)에서 높은 기술력을 보이는 만큼 삼성전자가 AI 반도체 분야에서 AMD와의 협업이 강화될 것이라는 기대감이 제기된다.

앞서 삼성전자는 지난 2022년 세계 최초로 3나노 공정을 GAA 기술로 양산하는 데 성공했지만, 대형 고객사를 확보하지 못하고 있었다.

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